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描述
是一種MOS封閉的FGA30N60LSD高壓開關器件mosfet結(jié)合的最佳特征和雙極晶體管。該器件具有高輸入阻抗的場效應晶體管和低導通狀態(tài)的雙極晶體管導通損失。
特征
低飽和:-發(fā)射極飽和壓降低= 1.1V @ IC =課文中
高輸入阻抗
傳導損失低
應用程序/框圖
太陽能變頻器
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