HGT1S7N60C3DS和HGT1S7N60C3D的HGTP7N60C3D是馬鞍山,封閉的高電壓開關(guān)器件mosfet結(jié)合的最佳特征和雙極晶體管。這些設備的高輸入阻抗和低場效應晶體管導通狀態(tài)的雙極晶體管導通損失。較低的電壓降的導通狀態(tài)變化之間只有25°C和適度150°C。使用的是發(fā)育類型TA49115 IGBT的。用于anti-parallel二極管的發(fā)展類型和IGBT是TA49057。
是理想的IGBT的許多高電壓開關(guān)應用操作以中等頻率低傳導損失的地方是必不可少的,如:交流和直流電機控制、電力供應以及驅(qū)動繼電器和接觸器、辦公自動化設備。
TA49121從前發(fā)育類型。