描述

這是不HGT5A27N120BN HGTG27N120BN沖床和不擴散核武器條約》(NPT)——通過IGBT的設(shè)計。這是一個新成員的MOS封閉的高電壓開關(guān)IGBT的家庭。結(jié)合的最佳特征IGBTs mosfet和雙極晶體管。該器件具有高輸入阻抗的場效應(yīng)晶體管和低導(dǎo)通狀態(tài)的雙極晶體管導(dǎo)通損失。

是理想的IGBT的許多高電壓開關(guān)應(yīng)用操作以中等頻率低傳導(dǎo)損失的地方是必不可少的,如:交流和直流電機控制、電力供應(yīng)以及驅(qū)動繼電器和接觸器、辦公自動化設(shè)備。

TA49280從前發(fā)育類型。

特征

• ,1200V 72A = 25°C,牽引力控制系統(tǒng)
• SOA能力1200V切換
• 典型的秋天時間。。。。。。。。。。。。。。。。140ns = 150°C在研究
• 短路評級
• 傳導(dǎo)損失低
• SPICE模型熱阻抗
  溫度補償軍刀™模型
  額定雪崩