概述
N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別針對(duì)降低通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開關(guān)性能。
62A，200V，電阻R DS（ON）=22.9mΩ@ V GS = 10V
開關(guān)速度快
低柵極電荷
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力

應(yīng)用/框圖（S）
PDP的應(yīng)用

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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