概述
這N溝道MOSFET已專門設(shè)計(jì)，提高整體效率，并盡量減少使用同步或常規(guī)的開關(guān)PWM控制器的DC / DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。 它具有低柵電荷，低R DS（上 ，開關(guān)速度快和體二極管反向恢復(fù)性能得到了優(yōu)化。

特點(diǎn)
最大R DS（ON）= 2.8MΩ在V GS = 10V，I D = 25
最大R DS（ON）= 3.5MΩ在V GS = 4.5V，I D = 19
低R DS（on）和高效率的先進(jìn)的封裝和硅結(jié)合
下一代增強(qiáng)機(jī)體二極管技術(shù)，軟恢復(fù)工程。 提供最低的EMI肖特基在同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用性能
MSL1健壯的包裝設(shè)計(jì)
100％UIL的測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）
IMVP Vcor​​e電壓開關(guān)，用于筆記本
臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器VRM的核心電壓開關(guān)
OringFET /負(fù)荷開關(guān)
DC - DC轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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