概述
這些雙N＆P溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 本裝置已設(shè)計(jì)，尤其是更換為數(shù)字雙極晶體管和小信號(hào)MOSFET的低電壓應(yīng)用。 由于不需要偏置電阻，這雙數(shù)字FET可以代替幾個(gè)不同的數(shù)字晶體管，不同的偏置電阻值。

特點(diǎn)
N - CH 0.50，為25 V，R DS（ON）= 0.45 W，V GS = 4.5 V，R DS（ON）= 0.60 W @ V GS = 2.7 V 。
P - CH -0.41一個(gè)，-25 V，R DS（ON）= 1.1 W @ V GS = -4.5 V，R DS（ON）= 1.5 W @ V GS = -2.7 V 。
非常小的封裝外形采用SC70 - 6。
非常低的水平柵極驅(qū)動(dòng)的要求，允許在3伏電路（VGS（TH）<1.5 V）的直接操作。
門源齊納ESD堅(jiān)固性（> 6kV的人體模型）。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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