概述
這種P溝道2.5V指定的MOSFET使用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過(guò)程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開(kāi)關(guān)性能低柵極電荷。
這些設(shè)備已在一個(gè)非常小的足跡較大的包是不切實(shí)際的應(yīng)用提供出色的功耗設(shè)計(jì)。

特點(diǎn)
-4一-20五，R DS（ON）= 0.065 W @ V GS = -4.5 V，R DS（ON）= 0.100 W @ V GS = -2.5 V
開(kāi)關(guān)速度快。
低柵極電荷（7.2nC的典型）。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
SuperSOT™-6包：體積�。ū葮�(biāo)準(zhǔn)SO - 8小72％）;低調(diào)（1mm厚）。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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