概述
這N溝道2.5V指定的MOSFET使用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)功率溝槽過(guò)程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開關(guān)性能低柵極電荷。

這些設(shè)備都被設(shè)計(jì)在一個(gè)非常小的封裝中提供出色的功耗。

特點(diǎn)
7.4，20 V
R DS（ON）= 0.022 W @ V GS = 4.5V
R DS（ON）= 0.028 W @ V GS = 2.7V
開關(guān)速度快
低柵極電荷（11nC典型）
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力

應(yīng)用/框圖（S）
DC / DC轉(zhuǎn)換器
負(fù)荷開關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤(rùn)百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤(rùn)百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。