概述
這種P溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關(guān)性能保持低柵極電荷。

特點(diǎn)
-5.5一個(gè)-20訴R DS（ON）= 0.050 W @ V GS = -4.5 V，R DS（ON）= 0.070 W @ V GS = -2.5 V
低柵極電荷（13nC典型）。
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）。
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力。

應(yīng)用/框圖（S）
低壓差穩(wěn)壓器
DC / DC轉(zhuǎn)換器
負(fù)荷開關(guān)
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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