概述
這些P溝道1.8V指定的MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關性能低柵極電荷。

特點
2.5A，- 12V。
R DS（ON）=90米W @ V GS = 4.5V
R DS（ON）=125米W @ V GS = 2.5V
R DS（ON）=200米W @ V GS = 1.8V
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
SuperSOT™-6包：體積�。ū葮藴蔛O - 8小72％）;低調(diào)（1mm厚）

應用/框圖（S）
電源管理
負荷開關

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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