概述
這P溝道MOSFET的已被生產利用飛兆半導體專有的PowerTrench ®技術，以提供低ř 的DS（ON）和優(yōu)化BV DSS的能力提供在應用程序優(yōu)越的性能受益和優(yōu)化切換性能的能力降低變頻器/逆變器應用電源散熱損失。

特點
最大R DS（ON）=13.0mΩ在V GS = 10V，I D = 10.5A
最大RD S（上）=19.0mΩ在V GS = 4.5V，I D = 8.4A
高性能溝槽技術非常低R DS（ON）
符合RoHS標準

應用/框圖（S）
同步及非同步降壓控制開關
負荷開關
逆變器

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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