概述
此設(shè)備是專門為一個單一封裝解決方案，雙切換在蜂窩手機和其他超便攜應(yīng)用的要求。 它具有兩個獨立的N溝道MOSFET與低通態(tài)電阻最低的導通損耗。
這些MicroFET 2X2封裝提供了卓越的物理尺寸的散熱性能和線性模式的應(yīng)用程序非常適合。

特點
最大R DS（ON）= 54MΩ在V GS = 4.5V，I D = 5.0一個
最大R DS（ON）= 66MΩ在V GS = 2.5V，ID = 4.2
最大R DS（ON）= 82，V GS = 1.8V，I D = 2.3MΩ
最大R DS（ON）= 114mΩat的V GS = 1.5V，I D = 2.0 A
HBM ESD保護水平= 1.6千伏（注3）
低調(diào)，在新封裝的MicroFET的2x2毫米 - 0.8毫米最大 -
符合RoHS標準
無鹵素化合物和氧化銻

應(yīng)用/框圖（S）
基帶開關(guān)
Loadswitch
DC - DC轉(zhuǎn)換

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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