概述
這N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能。
這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開關(guān)所需。

特點
8，60 V的R DS（ON）= 0.020 W @ V GS = 10 V，R DS（ON）= 0.025 W @ V GS = 6 V 。
低柵極電荷（30nC典型）。
開關(guān)速度快。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
高功率和電流處理能力。

應(yīng)用/框圖（S）
DC / DC轉(zhuǎn)換器
負(fù)荷開關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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馬達(dá)驅(qū)動器