概述
功率的SOT P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的,高細(xì)胞密度,DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過(guò)程,尤其是量身定制,以盡量減少通態(tài)電阻,并提供出色的開(kāi)關(guān)性能。 這些器件特別適用于如筆記本電腦的電源管理和其它電池供電的電路,快速開(kāi)關(guān),線路功率損耗低,抗瞬態(tài)需要的低電壓應(yīng)用。
特點(diǎn)
5.9A,- 30V。 的RDS(ON)= 0.05 W @ VGS = 10V,RDS(ON)= 0.07 W @ VGS = - 6V,RDS(ON)= 0.09 W @ VGS = - 4.5V。
極低的RDS(ON)的高密度的單元設(shè)計(jì)。
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力。
全新原裝進(jìn)口,現(xiàn) 貨庫(kù)存,歡迎來(lái)電詢價(jià)
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