概述

這些雙N和P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench的過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開關(guān)性能。

特點(diǎn)

問題1：N溝道

最大R DS（ON）=24mΩ，在V GS = 10V，I D = 9.0A
最大R DS（ON）=30mΩatV GS = 4.5V，I D = 7.0A

問題2：P通道

最大R DS（ON）=54mΩ，在V GS = 10V，I D = 6.5A
最大R DS（ON）=70mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 5.6A
開關(guān)速度快
合格的AEC Q101
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

逆變器
H橋

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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