概述

此設(shè)備是專門設(shè)計(jì)的DC / DC“開關(guān)”在蜂窩手機(jī)和其他移動(dòng)應(yīng)用的MOSFET作為一個(gè)單一封裝解決方案。 它具有獨(dú)立的N溝道和P溝道MOSFET與低通態(tài)電阻最低的導(dǎo)通損耗。 每個(gè)MOSFET的柵極電荷也降到最低，讓高頻開關(guān)直接控制設(shè)備。
這些MicroFET 1.6x1.6薄的封裝提供了卓越的熱性能和它的物理尺寸，開關(guān)和線性模式的應(yīng)用程序非常適合。

特點(diǎn)

問題1：N溝道

最大R DS（ON）=66mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 3.4A
最大R DS（ON）=86mΩ，在V GS = 2.5V，I D = 2.9A
最大R DS（ON）=113mΩ，在V GS = 1.8V，I D = 2.5A
最大R DS（ON）=160mΩ，在V GS = 1.5V，I D = 2.1A

問題2：P通道

最大R DS（ON）=142mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 2.3A
最大R DS（ON）=213mΩ，在V GS = 2.5V，I D = 1.8A
最大R DS（ON）=331mΩ，在V GS = 1.8V，I D = 1.5A
最大R DS（ON）=530mΩ，在V GS = 1.5V，I D = - 1.2A
低調(diào)：在新的封裝的MicroFET 1.6x1.6薄0.55毫米最大
無鹵素化合物和氧化銻
HBM ESD保護(hù)水平> 1600V（注3）
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

DC - DC轉(zhuǎn)換
電平轉(zhuǎn)換負(fù)荷開關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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