概述

這些P溝道2.5V指定的MOSFET使用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關(guān)性能保持低柵極電荷的過程。
這些器件非常適合于便攜式電子產(chǎn)品的應(yīng)用：負(fù)荷開關(guān)和電源管理，電池充電和保護(hù)電路。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=46mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 4.9A
最大R DS（ON）=69mΩ，在V GS = 2.5V，I D = 4.0A
低柵極電荷（11nC典型）。
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）。
HBM ESD保護(hù)水平> 3KV（注3）。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

電池充電
負(fù)載開關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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