概述
這P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能。
這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開關(guān)所需。

特點
-1.6一-30一訴R DS（ON）= 0.19 W @ V GS = -10 V 。
的R DS（ON）= 0.30 W @ V GS = -4.5 V 。
低柵極電荷（3.5nC的典型）。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
緊湊型的行業(yè)標準采用SC70 - 6表面貼裝封裝。

應(yīng)用/框圖（S）
DC / DC轉(zhuǎn)換器
負荷開關(guān)
電源管理

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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