概述
該器件包括兩個專門在一個雙MLP package.The開關節(jié)點的N溝道MOSFET,已在內部連接,方便放置和同步降壓轉換器的路由。 控制MOSFET(Q1)和synchronousSyncFET(Q2)已設計提供最佳的電源效率。
特點
問題1:N溝道
最大R DS(ON)= 7.5MΩ在V GS = 10V,I D = 12
最大R DS(ON)= 12MΩ在V GS = 4.5V,I D = 10一個
問題2:N溝道
最大R DS(ON)= 2.8MΩ在V GS = 10V,I D = 20
最大R DS(ON)= 3.3MΩ在V GS = 4.5V,I D = 18 A
符合RoHS標準
應用/框圖(S)
計算
通訊
通用負載點
筆記本V內核
全新原裝進口,現 貨庫存,歡迎來電詢價
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資料錄入: 潤百年@電源管理IC
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