概述
P溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的功率溝槽®進程，已優(yōu)化的R DS（ON）開關(guān)性能和耐用性生產(chǎn)。

特點
最大R DS（ON）= 183MΩ，在V GS = 10 V，I D = -2.1一個
最大R DS（ON）= 233MΩ，在V GS = -4.5 V，I D = -1.9一個
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力
開關(guān)速度快
100％UIL的測試
符合RoHS標準

應用/框圖（S）
負荷開關(guān)
同步整流

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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