概述
這N溝道MOSFET已專門(mén)設(shè)計(jì)，提高整體效率，并盡量減少使用同步或常規(guī)的開(kāi)關(guān)PWM控制器的DC / DC轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。 它已被優(yōu)化為低柵極電荷和非常低R DS（ON）。

特點(diǎn)
最大R DS（ON）= 1.1 MO在V GS = 10 V，I D = 36一個(gè)
最大R DS（ON）= 1.6 MO在V GS = 4.5 V時(shí)，I D = 32一個(gè)
低R DS（on）和高效率的先進(jìn)的封裝和硅結(jié)合
MSL1健壯的包裝設(shè)計(jì)
100％UIL的測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）
OringFET
同步整流

應(yīng)用說(shuō)明
AN - 9056： （408 K） ，使用飛兆半導(dǎo)體雙酷™MOSFET的08月12日，2011年

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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