概述
這單N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)UItraFET海溝®過程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開關(guān)性能。

特點(diǎn)
最大R DS（ON）=70mΩ，在V GS = 10V，I D = 3.9A
最大R DS（ON）=80mΩ，在V GS = 6V，我= 3.5A
開關(guān)速度快
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S） 
DC - DC轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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