概述
N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench ®過程中，已特別針對減少通態(tài)電阻和開關(guān)損耗。 GS齊納已被添加到提高ESD電壓水平。

特點
典型R DS（ON）=5MΩ在V GS = 10V，I D = 15A
典型R DS（ON）=6mΩ在V GS = 4.5V，I D = 13A
HBM ESD保護水平> 7kv典型
符合RoHS標準
合格的AEC Q101

應(yīng)用/框圖（S）
逆變器
同步整流

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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