概述
這N溝道MOSFET飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽過程是一個(gè)堅(jiān)固的門版本。 它已被優(yōu)化的開關(guān)性能和超低RDSON。

特點(diǎn)
最大R DS（ON）=5MΩ在V GS = 10V，I D = 16.5A
最大R DS（ON）=6.4mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 14A條
薄型 - 1毫米中的MicroFET 3.3x3.3毫米的最大
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）
同步整流
“或”場效應(yīng)管
POL整流器

應(yīng)用筆記
AN - 9040：Power33包裝大會(huì)指南 （302 K），2011年08月12日

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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