概述

這單N溝道MOSFET的設計采用了飛兆半導體先進的功率溝槽過程特殊的MicroFET引線框架，以優(yōu)化的D S（ON）@ V GS = 1.5 V的。

特點

最大R DS（ON）= 26MΩ在V GS = 4.5V，I D = 7一
最大R DS（ON）= 31MΩ在V GS = 2.5V，I D = 6一個
最大R DS（ON）= 39MΩ在V GS = 1.8V，I D = 5一
最大R DS（ON）= 39MΩ在V GS = 1.8V，I D = 5一
低調：在新封裝的MicroFET 1.6x1.6薄0.55毫米最大
無鹵素化合物和氧化銻
HBM ESD保護水平> 1800V（注3）
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

鋰離子電池
基帶開關
負荷開關
DC - DC轉換

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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