概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽®進(jìn)程，已優(yōu)化的R DS（ON）開關(guān)性能和耐用性生產(chǎn)。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 19.8 MO在V GS = 10 V，I D = 7.5一個
最大R DS（ON）= 26 MO在V GS = 6伏，I D = 6.4一個
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力
100％UIL的測試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

DC / DC轉(zhuǎn)換器和后備式UPS
分布式電源架構(gòu)和VRM
24 V和48 V系統(tǒng)的主交換機(jī)
高電壓同步整流

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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