概述

這些N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開關(guān)性能。
這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開關(guān)所需。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=29mΩ，@ V GS = 10V
最大R DS（ON）=36mΩ，@ V GS = 4.5V
低柵極電荷
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
合格的AEC Q101
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

逆變器
電源供應(yīng)器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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