概述

這N溝道MOSFET已專門設(shè)計(jì)，提高整體效率，并盡量減少使用同步或常規(guī)的開關(guān)PWM控制器的DC / DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。 它具有低柵極電荷優(yōu)化，低R DS（ON），開關(guān)速度快和體二極管反向恢復(fù)性能。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 5.8MΩ在V GS = 10V，I D = 17
最大R DS（ON）= 8MΩ在V GS = 4.5V，I D = 14
低R DS（on）和高效率的先進(jìn)的封裝和硅結(jié)合
下一代增強(qiáng)機(jī)體二極管技術(shù)，軟恢復(fù)工程
MSL1健壯的包裝設(shè)計(jì)
100％UIL的測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

同步整流為直流/直流轉(zhuǎn)換器
筆記本核心電壓/ GPU低邊開關(guān)
負(fù)載低邊開關(guān)的網(wǎng)絡(luò)點(diǎn)
電信二次側(cè)整流

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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