概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過程中，已特別針對減少通態(tài)電阻和開關(guān)損耗。 GS齊納已被添加到提高ESD電壓水平。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=7.0mΩ，在V GS = 10V，I D = 17.6A
最大R DS（ON）=9.0mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 14.9A
7.6kV典型（注4）HBM ESD保護(hù)水平
快速切換
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

逆變器
電源供應(yīng)器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。