概述

飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的1.5伏特與藝術(shù)“低間距”超薄的WLCSP封裝過程中的狀態(tài)的PowerTrench的過程中設(shè)計(jì)，F(xiàn)DZ391P最大限度地減少PCB空間和R DS（ON ）。 這種先進(jìn)的WLCSP封裝的MOSFET，體現(xiàn)在包裝技術(shù)的突破，使該器件結(jié)合優(yōu)良的熱傳輸特性，超低扁平封裝，低柵極電荷， 低R DS（ON ）。

特點(diǎn)

最大的R DS（ON）= 85MΩ在V GS = -4.5 V，I D = -1甲
最大的R DS（ON）= 123MΩ，在V GS = -2.5 V，I D = -1甲
最大的R DS（ON）= 200MΩ，在V GS = -1.5 V，I D = -1甲
只占用PCB面積1.5 mm2的
超薄包：小于0.4毫米的高度安裝到PCB上時(shí)，
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

電池管理
負(fù)荷開關(guān)
電池保護(hù)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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