概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench進程，已特別針對降低通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能。
62A，200V，電阻R DS（ON）= 22.9mO @ V GS = 10V
開關(guān)速度快
低柵極電荷
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

PDP的應(yīng)用

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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