概述

該器件包括兩個(gè)專門(mén)在一個(gè)雙MLP package.The開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的N溝道MOSFET，已在內(nèi)部連接，方便放置和同步降壓轉(zhuǎn)換器的路由。 控制MOSFET（Q1）和synchronousSyncFET（Q2）已設(shè)計(jì)提供最佳的電源效率。

特點(diǎn)

問(wèn)題1：N溝道
最大R DS（ON）= 7.5MΩ在V GS = 10V，I D = 12
最大R DS（ON）= 12MΩ在V GS = 4.5V，I D = 10一個(gè)
問(wèn)題2：N溝道
最大R DS（ON）= 2.8MΩ在V GS = 10V，I D = 20
最大R DS（ON）= 3.3MΩ在V GS = 4.5V，I D = 18 A
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

計(jì)算
通訊
通用負(fù)載點(diǎn)
筆記本V內(nèi)核

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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