描述

這是HGTP7N60B3D HGT1S7N60B3DS MOS的兇殺案,高電壓開關(guān)器件mosfet結(jié)合的最佳特征和雙極晶體管。這些設(shè)備的高輸入阻抗和低場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通狀態(tài)的雙極晶體管導(dǎo)通損失。較低的電壓降的導(dǎo)通狀態(tài)變化之間只有25°C和適度150°C在額定電流。TA49190發(fā)育類型的IGBT是。用于anti-parallel二極管和IGBT的RHRD660(TA49057)。

是理想的IGBT的許多高電壓開關(guān)應(yīng)用操作以中等頻率低傳導(dǎo)損失的地方是必不可少的,如:交流和直流電機(jī)控制、電力供應(yīng)以及驅(qū)動(dòng)繼電器和接觸器、辦公自動(dòng)化設(shè)備。

TA49191從前發(fā)育類型。

特征

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn)貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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