概述
這些N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條形DMOS技術(shù)。
這種先進(jìn)的技術(shù)已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合低電壓應(yīng)用，如汽車，直流/直流轉(zhuǎn)換器，效率高，在便攜式和電池供電產(chǎn)品的電源管理開關(guān)。

特點(diǎn)
50A，60V，電阻R DS（ON）=0.022Ω@ V GS = 10V
低柵極電荷（典型的31 NC）
低CRSS（典型值65 pF的）
快速開關(guān)
100％的雪崩測試
改進(jìn)的dv / dt能力
175℃的最高結(jié)溫評級
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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