概述
這單N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開關(guān)性能。

特點(diǎn)
最大R DS（ON）=10.5mΩ在V GS = 10V，I D = 12.8A
最大R DS（ON）=12.3mΩ在V GS = 4.5V，I D = 11.4A
低柵極電荷
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）
直流 - 直流轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。