概述
這種P溝道1.8V指定的MOSFET采用飛兆半導體先進的低電壓的PowerTrench過程。 電池電源管理應用進行了優(yōu)化。

特點
-0.6一個，-20 V。
R DS（ON）= 0.40 W ​​@ VGS = -4.5 V
R DS（ON）= 0.55 W @ VGS = -2.5 V
R DS（ON）= 0.80 W @ VGS = -1.8 V
低柵極電荷
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術
緊湊型的行業(yè)標準采用SC70 - 6表面貼裝封裝

應用/框圖（S）
電池管理
負荷開關

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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