概述
這些N溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術。
這種先進的技術已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率開關模式電源，有源功率因數(shù)校正，電子燈鎮(zhèn)流器基于半橋拓撲。

特點
6.26A，600V，電阻R DS（ON）=1.5Ω@ V GS = 10V
低柵極電荷（典型的28 NC）
低CRSS（典型值12pF的）
快速開關
100％的雪崩測試
改進的dv / dt能力

應用筆記
AN - 9067：在LLC諧振轉換器的MOSFET失效模式分析（1485 K）2011年8月05，

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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