特點(diǎn)
典型R DS（ON）=52.5mΩ在V GS = 4.5V，I D = - 4A
典型R DS（ON）=75.3mΩ在V GS = 2.5V，I D = 3.2A
開關(guān)速度快
低柵極電荷（6.9nC的典型）
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
SuperSOT™封裝：占地面積�。ū葮�(biāo)準(zhǔn)SO - 8小72％）;低調(diào)（1mm厚）。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
合格的AEC Q101

應(yīng)用/框圖（S）
負(fù)荷開關(guān)
電池保護(hù)
電源管理

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。