概述
這種P溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細胞密度，DMOS技術(shù)。 這已經(jīng)非常高密度的過程特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能。

特點
-3.5一-20五，R DS（ON）= 0.130 W @ V GS = -4.5 V，R DS（ON）= 0.180 W @ V GS = -2.5 V
開關(guān)速度快。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
高功率和電流處理能力。

應(yīng)用/框圖（S）
DC / DC轉(zhuǎn)換器
電源管理
負荷開關(guān)
電池保護

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準不得復(fù)制。