概述
這N溝道MOSFET飛兆半導(dǎo)體先進的功率溝槽過程是一個堅固的門版本。 它已被優(yōu)化電源管理應(yīng)用。

特點
最大R DS（ON）=14mΩ，在V GS = 10V，I D = 9.6A
最大R DS（ON）=17mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 8.7A
薄型- 1mm的最大功率33
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）
直流 - 直流轉(zhuǎn)換

應(yīng)用筆記

AN - 9040：Power33包裝大會指南 （302 K）8月05， 2011

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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