概述
這些N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術(shù)。
這種先進的技術(shù)已被特別定制,以最大限度地減少通態(tài)電阻,提供出色的開關(guān)性能,并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些設(shè)備非常適合于開關(guān)DC / DC轉(zhuǎn)換器,開關(guān)電源的高效率。
特點
21A,300V,電阻R DS(ON)= 0.16 W @ V GS = 10V
低柵極電荷(典型的47 NC)
低CRSS(典型值40 pF的)
快速開關(guān)
100%的雪崩測試
改進的dv / dt能力
全新原裝進口,現(xiàn) 貨庫存,歡迎來電詢價
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