概述

這些N溝道增強型功率場效應晶體管的生產(chǎn)使用Failchild專有的平面條形DMOS技術(shù)。
這一先進技術(shù)已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些設備非常適合高效率開關模式電源供應器和有源功率因數(shù)校正。

特點

的R DS（ON）=0.22Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 11A
低柵極電荷（典型值50nC）
低CRSS（典型值27pF）
快速開關
100％的雪崩測試
改進的dv / dt能力
符合RoHS標準

應用筆記

AN - 9066的UniFET™連續(xù)電流模式功率因數(shù)校正的優(yōu)化開關（429 K）8月19日，2011年
AN - 9067：在LLC諧振轉(zhuǎn)換器的MOSFET失效模式分析（1485 K），2011年8月19日

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