概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench進程，已特別針對降低通態(tài)電阻，同時保持出色的開關性能。

特點

的R DS（ON）=3.2mΩ（典型值）@ V GS = 10V，I D = 75A
開關速度快
低柵極電荷
極低的R DS（ON）的高性能溝槽技術
高功率和電流處理能力
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

DC到DC轉換器/同步整流

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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