概述

P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過(guò)程中，已特別針對(duì)減少通態(tài)電阻。 這種器件非常適用于電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用在筆記本電腦和便攜式電池組共同

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=20MΩ在V GS = 10V，I D = 8.8A
最大R DS（ON）=35mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 6.7A
擴(kuò)展V GSS電池的應(yīng)用范圍（- 25V）
HBM ESD ± 3.8KV典型（注3）保護(hù)級(jí)別
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
終止是無(wú)鉛和符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
合格的AEC Q101

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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