概述

這N溝道邏輯電平MOSFET專門設(shè)計(jì)，以改善整體效率直流/直流轉(zhuǎn)換器，PWM控制器采用同步或常規(guī)的開關(guān)。 這些MOSFET具有更快的開關(guān)和低于具有可比性的RDS（on）規(guī)格的其他MOSFET的柵極電荷。 結(jié)果是MOSFET驅(qū)動(dòng)器（即使在非常高的頻率），并具有較高的綜合效率的直流/直流電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)，是很簡單的安全。

特點(diǎn)

80A，30 V R DS（ON）= 0.0035 W @ V GS = 10 VR的RDS（ON）= 0.0045 W @ V GS = 4.5 V。
在高溫下的臨界直流電氣參數(shù)。
堅(jiān)固的內(nèi)部源極 - 漏極二極管可以消除外部齊納二極管，瞬態(tài)抑制器的需要。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
175℃的最高結(jié)溫評(píng)級(jí)。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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