概述

這N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過(guò)程已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開(kāi)關(guān)性能。
這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開(kāi)關(guān)所需。

特點(diǎn)

2.7 A，30 V
R DS（ON）= 0.046Ω@ V GS = 10V
R DS（ON）= 0.060Ω@ V GS = 4.5V

開(kāi)關(guān)速度非�？�。
低柵極電荷（5nC典型）
業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SOT - 23封裝的高性能版本。 相同引腳SOT - 23高出30％的功率處理能力。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤(rùn)百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤(rùn)百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。