概述

此設備是專門為在蜂窩手機和其它超便攜式應用的電池充電開關的單一封裝解決方案。 其特點是兩種常見的漏P溝道MOSFET，這使得雙向電流的流動，飛兆半導體先進的1.5V的PowerTrench ®最先進的過程“低間距± WL - CSP封裝的過程中，F(xiàn)DZ1905PZ最大限度地減少PCB空間和 R S1S2 （上）。 這種先進的WL - CSP封裝MOSFET，體現(xiàn)在包裝技術的突破，使該器件結合優(yōu)良的熱傳輸特性，超低扁平封裝，低柵極電荷， 低R S1S2（上）。

特點

最大ř S1S2（ON）=126mΩ在V GS =“C4.5V，我S1S2 =”C1A
最大ř S1S2（ON）=141mΩ在V GS =“C2.5V，我S1S2 =”C1A
最大ř S1S2（ON）=198mΩ在V GS =“C1.8V，我S1S2 =”C1A
最大ř S1S2（ON）=303mΩ在V GS =“C1.5V，我S1S2 =”C1A
占用只有1.5平方毫米的電路板面積，低于50％的面積為2 × 2的BGA
超薄封裝：小于0.65毫米的高度安裝到PCB上時，
高功率和電流處理能力
HBM ESD保護水平4kV的（注3）
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

電池管理
負荷開關
電池保護

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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