概述

已專此N溝道MOSFET，以改善整體效率直流/直流轉換器，PWM控制器采用同步或常規(guī)的開關。
這些MOSFET具有更快的開關和低于其他可比的R DS（ON）規(guī)格的MOSFET的柵極電荷。
結果是MOSFET驅動器（即使在非常高的頻率），并具有較高的綜合效率的直流/直流電源供應器設計，是很簡單的安全。

特點

34 A，100 V
R DS（ON）= 32 m寬的V GS = 10V
R DS（ON）= 35 m寬的V GS = 6伏
低柵極電荷（57 NC典型）。
開關速度快。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術。
高功率和電流處理能力。

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