概述

這N溝道MOSFET已專門(mén)設(shè)計(jì)，提高整體效率，并盡量減少使用同步或常規(guī)的開(kāi)關(guān)PWM控制器的DC / DC轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。 已優(yōu)化的低門(mén)電荷，低R DS（ON），快速開(kāi)關(guān)速度和體二極管反向恢復(fù)性能

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 5.5MΩ在V GS = 10V，I D = 19
最大R DS（ON）= 7.6MΩ在V GS = 4.5V，I D = 15一個(gè)
低R DS（ON）和高效率的先進(jìn)的封裝和芯片設(shè)計(jì)
下一代增強(qiáng)機(jī)體二極管技術(shù)，軟恢復(fù)工程。 提供最低的EMI肖特基在同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用性能
MSL1健壯的包裝設(shè)計(jì)
100％UIL的測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

IMVP Vcor​​e電壓開(kāi)關(guān)，用于筆記本
臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器VRM的核心電壓開(kāi)關(guān)
OringFET /負(fù)荷開(kāi)關(guān)
DC - DC轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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