概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能保持低柵極電荷。

特點(diǎn)

38 A，60 V的R DS（ON）= 0.021 W @ V GS = 10 V，R DS（ON）= 0.025 W @ V GS = 6 V 。
低柵極電荷（33nC典型）。
開(kāi)關(guān)速度快。
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）。

應(yīng)用/框圖（S）

DC / DC轉(zhuǎn)換器
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤(rùn)百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤(rùn)百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。